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材料研究 材料研究

材料研究

精益求精于半導體芯片電耐腐蝕性試驗

源表搭建鈣鈦礦太陽能電池測試方案

因素:admin 日子:2022-08-30 09:01 查看量:9914

一、案列項目流程介簡


1.項目背景

鈣鈦礦型太陽(yang)光(guang)(guang)(guang)(guang)光(guang)(guang)(guang)(guang)隊(dui)光(guang)(guang)(guang)(guang)能(neng)鋰電(perovskite solar cells),是(shi)使用(yong)(yong)鈣鈦礦型的生(sheng)產合金金屬鹵化物半導體用(yong)(yong)料用(yong)(yong)于吸光(guang)(guang)(guang)(guang)用(yong)(yong)料的太陽(yang)光(guang)(guang)(guang)(guang)光(guang)(guang)(guang)(guang)隊(dui)光(guang)(guang)(guang)(guang)能(neng)鋰電,是(shi)一種再(zai)者代太陽(yang)光(guang)(guang)(guang)(guang)光(guang)(guang)(guang)(guang)隊(dui)光(guang)(guang)(guang)(guang)能(neng)鋰電,也被稱為新構架(jia)太陽(yang)光(guang)(guang)(guang)(guang)光(guang)(guang)(guang)(guang)隊(dui)光(guang)(guang)(guang)(guang)能(neng)鋰電。

2.項目挑戰

   老式(shi)光學(xue)短路電流加(jia)萬用表(biao)測(ce)量(liang)的成功率不高;

   進出口源表的(de)小軟件配套設(she)施設(she)計規劃不改(gai)善。

二、鈣鈦礦裝修材料簡潔


1.鈣鈦礦材料種類

鈣(gai)鈦礦尖晶石(shi)為ABX3 構造(zao),通常情況下為立方米體(ti)或八面體(ti)構造(zao)。

在(zai)鈣鈦(tai)礦單晶體(ti)中,B陽亞鐵離(li)子設在(zai)立方(fang)米(mi)(mi)米(mi)(mi)晶胞(bao)的(de)基地,被(bei)6個X陽亞鐵離(li)子大包圍成配(pei)位立方(fang)米(mi)(mi)米(mi)(mi)八(ba)面(mian)體(ti),配(pei)個數為6;

A正(zheng)(zheng)陰(yin)陽鋁鋁離(li)(li)子(zi)(zi)屬(shu)于立米晶胞的(de)角(jiao)頂,被1兩個X正(zheng)(zheng)陰(yin)陽鋁鋁離(li)(li)子(zi)(zi)所包(bao)圍成配位八(ba)面體,配個數為12,就像文中 提示,這其中,A正(zheng)(zheng)陰(yin)陽鋁鋁離(li)(li)子(zi)(zi)和X正(zheng)(zheng)陰(yin)陽鋁鋁離(li)(li)子(zi)(zi)曲率半徑相似(si),共同體產生立米密(mi)推積。



2.鈣鈦礦太陽能電池的結構與原理


(1)鈣鈦礦手機電池框架與設計原理

典型鈣鈦礦電池結構.jpg



在認同太陽(yang)升起光(guang)陽(yang)光(guang)照射時,鈣(gai)鈦(tai)礦層(ceng)(ceng)(ceng)應當獲(huo)取(qu)激光(guang)存在智能-空穴對。因此許多(duo)鈣(gai)鈦(tai)礦的原材料(liao)(liao)一般(ban)情況下具較(jiao)低的載(zai)流(liu)子塑料(liao)(liao)概(gai)率和(he)較(jiao)高(gao)的載(zai)流(liu)子知識(shi)率,因為載(zai)流(liu)子的粘附的距離和(he)平均(jun)壽命較(jiao)長(chang)。許多(duo)未塑料(liao)(liao)的智能和(he)空穴分辨被智能傳(chuan)送(song)(song)(song)數(shu)據(ju)(ju)(ju)層(ceng)(ceng)(ceng)和(he)空穴傳(chuan)送(song)(song)(song)數(shu)據(ju)(ju)(ju)層(ceng)(ceng)(ceng)收(shou)藏(zang),即智能從鈣(gai)鈦(tai)礦層(ceng)(ceng)(ceng)傳(chuan)送(song)(song)(song)數(shu)據(ju)(ju)(ju)到(dao)等智能傳(chuan)送(song)(song)(song)數(shu)據(ju)(ju)(ju)層(ceng)(ceng)(ceng),到(dao)后面(mian)被ITO(導(dao)電玻璃(li)板窗(chuang)探針Indium-tin oxide)收(shou)藏(zang);空穴從鈣(gai)鈦(tai)礦層(ceng)(ceng)(ceng)傳(chuan)送(song)(song)(song)數(shu)據(ju)(ju)(ju)到(dao)空穴傳(chuan)送(song)(song)(song)數(shu)據(ju)(ju)(ju)層(ceng)(ceng)(ceng),到(dao)后面(mian)被重(zhong)金屬件探針收(shou)藏(zang),使(shi)用連接方(fang)式FTO(導(dao)電玻璃(li)板窗(chuang)、Fluorine-doped tin oxide)和(he)重(zhong)金屬件探針的電路系(xi)統而存在光(guang)學流(liu)。

(2)鈣鈦礦電池板制作方法工作

0.jpg

(3)具代表性的成品鈣鈦礦充電片

成品鈣鈦礦電池.jpg


三、工作方案解釋


1.測試要求


(1)IV系統性


側量接下來關鍵運作:

斷(duan)路線電壓Uoc(Open Circuit Voltage);

短路(lu)故障電流值Isc(Short-circuit Current);

峰峰值電壓降Um;

基線功率Im;

最高值工作(zuo)電壓(ya)Pm=UmXIm;

選中細胞FF;

轉變高效(xiao)率(lv)?=Pm(微型蓄手機電(dian)(dian)池片(pian)頂值工作(zuo)(zuo)電(dian)(dian)壓)XPin(的單位體積(ji)入射的光工作(zuo)(zuo)電(dian)(dian)壓)/S(微型蓄手機電(dian)(dian)池片(pian)的體積(ji))

……


(2)QE機系統


校正下面通常叁數:

光譜分析相應度;

外量子有效率;

內量子工作效率;

折射率;

散發出率;

積分查(cha)詢漏電交流電規格(ge);

散射引導功率

……

2.測試所需儀表

AAA級(ji)日(ri)光(guang)模以(yi)器;

規(gui)格多晶硅硅日頭充電(在我國計算探討(tao)院校零);

普賽斯S300源(yuan)表;

供試(shi)品檢測器臺還個人(ren)定制工裝夾(jia)具;

IV測量深入分(fen)析平臺(tai);

3.典型測試指標

典型測試指標.jpg


4.選型依據

電(dian)阻示值及可(ke)(ke)靠性(xing)強(qiang),精密度;電(dian)壓示值及可(ke)(ke)靠性(xing)強(qiang),精密度;

采集濃度高;IV測試圖片剖析(xi)工具功用;


四、常見技術問題匯總FQA


1. 與傳統電子負載和萬用表測量方案的區別?

源表集(ji)合(he)型源與表于內置式,集(ji)合(he)型較高,從系(xi)統(tong)配置來說主板接口(kou)類型,有RS232、GPIB和LAN口(kou),更適 合(he)進(jin)行工業和系(xi)統(tong)自動化技術測試方法線的app手(shou)機(ji)app應用(yong)。從app手(shou)機(ji)app來說,消息(xi)集(ji)的原則化程較高,PLCapp手(shou)機(ji)app建(jian)設(she)極易。

2.與進口源表相比有哪些優勢?

普(pu)賽斯的(de)(de)S系(xi)列產品源(yuan)表是對比吉(ji)時(shi)利(li)2400,可校正輸出功率和電壓(ya)使用范圍更寬。免(mian)費軟(ruan)件(jian)上并不是提供(gong)了指令碼(ma) 集,還支持(chi)軟(ruan)件(jian)C++和Labview的(de)(de)SDK包,更方便測試設備的(de)(de)ibms。

3.普賽斯源表可以應用于鈣鈦礦哪些測試領域?

普賽斯的S系類(lei)源(yuan)表就能夠(gou)廣泛用于科學、教法的實(shi)踐平臺,也就能夠(gou)廣泛用于產(chan)線電(dian)腦自動(dong)控制自測(ce)。



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