盛夏已過，初秋開場

十一月的較高溫度隔絕一拖再拖不散生活的也免失敗被煩雜的事情封魔

油田大效率(6500V/3000A)IGBT測試測試難？伴跟著項目需求分析急、任務重、規范高工作師們阻力山大...

不如先Fun松Fun松~

Step  1

發送給玩家圈優美文字“有獎活動”，設施所以人可以說，微信截屏保留；

Step  2

復印機掃描正中間二維碼掃描，上架載圖、更改的問題參考答案并上傳。

參與互動并答對4題以上即可獲得書形禮物一種（僅供前20名）！未獲獎的朋友也可免費獲得《IGBT功率器件靜態參數測試白皮書》一份(電子版)，并提供水平專業醫生一只一咨訊解析！

搞懂這幾個問題，輕松解決測試難題！

1、IGBT從硅(Si)到碳化硅(SiC)，測試條件向高壓大功率轉變

SiC絕緣擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，飽和電子漂移速率是Si的2倍；與600V～900V的Si MOSFET 相比，SiC MOSFET能夠實現“高耐壓”、“低導通電阻”、“高頻”這三個特性。因此，高壓大功率的IGBT單管、半橋模塊，測試條件需要達到6500V/3000A。

2、掃描模式對閾值電壓漂移的影響

基于SiC與Si形態的差異，SiC MOSFET的閥值法電壓降值電流具備著不平穩確定，在元器測評工作中閥值法電壓降值電流很有可能分明漂移，以至于其電機械性能測評或高溫天氣柵偏試驗檢測后的電測評然而頻發依耐于測評前提條件。以至于閥值法電壓降值電流的最準確測評，實行耐用性測評步驟有：

3、脈寬和溫度對導通電阻的影響

導通熱敏電阻 RDSon為應響元器工作上時導通耗損率的一重要的有特點規格，其目標值會隨 VGS 相應T的不同而轉換。

4、FIMV、FVMI 對測試的影響

限流保護性能將電壓值以及感應電流被限在SOA板塊，杜絕集成電路芯片弄壞或炸管。

測試英文必要條件：800V 恒壓 10μA 限流

考試前提條件：100μA 恒流1000V限壓

5、等效電阻對導通壓降測試的影響

? 開爾文（Kelvin）工作電流的檢測三極管將改善導通的電壓自動測量表面粗糙度；? SOCKET與PIN碰觸內阻、自測引線導通內阻。

6、等效電感對導通壓降測試的影響

? 電感過大，直流電波型振蕩器；? 層面等效電感、DUT等效電感。

7、線路等效電容對測試的影響

? 平民同軸低壓電纜的等效濾波電容與DUT串聯，SMU測式時上漲或保持穩定周期長；? 三同軸電線電纜等效電阻可以說為0。

參與互動獲得精美禮品

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