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用心于半導體器件電效能測量

PL系列窄脈沖電流源測試原理及LIV測試框圖

主要來源:admin 事件:2020-10-09 09:52 訪問 量:2884

普賽斯PL 系(xi)類窄脈寬電壓源(yuan)可用途于 VCSEL 舉(ju)例它要有窄單脈沖(chong)激勵員工的檢測畫面。

PL 系列的專用(yong)設備有兩(liang)的通道(dao):

① 、恒流脈寬鼓舞(wu)源,并能同樣預估待測(ce)電(dian)子(zi)元(yuan)件的兩端輸出(chu)功率;

② 、電(dian)脈寬(kuan)瞬時(shi)電(dian)流檢測節點,獨特支持于分為外置PD 的習慣檢測電(dian)脈寬(kuan)光電(dian)率;

PL 款型(xing)設施設備(bei)能輸(shu)出電壓下面(mian)些(xie)波型(xing):波型(xing)的力度、伺服電機值、脈沖激光(guang)位數等均可(ke)程(cheng)控。

① 、交流(liu)電恒(heng)流(liu);

② 、整流掃描拍(pai)攝感應電流;

③ 、脈(mo)沖激光(guang)交流(liu)電交流(liu)電;

④ 、脈(mo)寬復印機掃描工作電流;

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的(de)用普賽斯PL 國產窄電脈沖LIV考試(shi)英文(wen)機(ji)器(qi)(qi)(qi)(qi)設備開始考試(shi)英文(wen)框(kuang)圖一(yi)下(xia):核(he)心有 PL 國產機(ji)器(qi)(qi)(qi)(qi)設備、專門(men)用鏈接(jie)線(xian)圖、考試(shi)英文(wen)板、信(xin)(xin)用卡積(ji)份(fen)(fen)程(cheng)序(xu)球、待測智(zhi)(zhi)能(neng)機(ji)械(xie)(xie)器(qi)(qi)(qi)(qi)、光發送 PD 組成部分。 VCSEL 智(zhi)(zhi)能(neng)機(ji)械(xie)(xie)器(qi)(qi)(qi)(qi)一(yi)半傳(chuan)輸光瓦(wa)數(shu)很大的(de),而 PD 的(de)發送瓦(wa)數(shu)較小,必(bi)須要 的(de)用信(xin)(xin)用卡積(ji)份(fen)(fen)程(cheng)序(xu)器(qi)(qi)(qi)(qi)開始光瓦(wa)數(shu)的(de)衰(shuai)減,同一(yi)信(xin)(xin)用卡積(ji)份(fen)(fen)程(cheng)序(xu)球的(de)散射特(te)征參(can)數(shu)使智(zhi)(zhi)能(neng)機(ji)械(xie)(xie)器(qi)(qi)(qi)(qi)機(ji)器(qi)(qi)(qi)(qi)設備對智(zhi)(zhi)能(neng)機(ji)械(xie)(xie)器(qi)(qi)(qi)(qi)光入射角并(bing)如果不是無比(bi)銘感。

的(de)設(she)備工作(zuo)內(nei)(nei)容(rong)輸出(chu)有(you)下兩個網絡(luo)(luo)4g信(xin)息(xi):LD+ 、 LD- 、 S+ 、 S- 、 PD+ 、 PD- ,在當中 LD+ 、 LD- 為恒流源(yuan)工作(zuo)內(nei)(nei)容(rong)輸出(chu)鼓勁(jing)網絡(luo)(luo)4g信(xin)息(xi), S+ 、 S- 為待測電子元器(qi)件電壓降測試網絡(luo)(luo)4g信(xin)息(xi), PD+ 、 PD- 為外置 PD 測試網絡(luo)(luo)4g信(xin)息(xi)。

為衡量(liang)(liang)數據輸(shu)入效(xiao)率(lv),PL 系統(tong)機器(qi)(qi)設備須得安全(quan)實用(yong)普賽(sai)斯(si)制(zhi)定的(de)專項 聯系線(xian)(xian),就(jiu)直接(jie)從測量(liang)(liang)板(ban)到(dao)待測元器(qi)(qi)要盡可能的(de)提高連線(xian)(xian),非常好就(jiu)直接(jie)將元器(qi)(qi)悍接(jie)于(yu)測量(liang)(liang)板(ban)上或安全(quan)實用(yong) socket 。

為(wei)提(ti)高待測元元集成電路芯(xin)(xin)片封裝(zhuang)封裝(zhuang)額定(ding)電壓(ya)量(liang)測的(de)準確(que)性,S+ 、 S- 必(bi)須要在(zai)待測元元集成電路芯(xin)(xin)片封裝(zhuang)封裝(zhuang)引身上短(duan)接至(zhi) LD+ 、 LD- ,請(qing)切實將 S+ 、 S- 接至(zhi)待測元元集成電路芯(xin)(xin)片封裝(zhuang)封裝(zhuang)引身上,以免(mian)之間在(zai)測試板上肆意短(duan)接。

 

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