前言

        2020年，各國半導設備行業結束連續快速高上升，進到調整期。與此導致比對，在新能源電動車設計規劃小轎車、太陽能發電、儲能系統等標準牽動下，3代半導設備行業保持著速度發展趨勢，各國化供貨鏈模式就在導致，竟爭激烈為主的格局漸次闡明，行業初進迅猛升級期。而國內的3代半導設備行業歷經早期產銷量謀劃和產線構建，國產品牌系列3代半導設備產品設備隨后設計規劃好并按照效驗，系統有序推進提高自己，產銷量快速發揮，國產品牌系列炭化硅(SiC）元器件及控制器慢慢“上機”，防水模式漸次完整，自主化閉環功能快速減弱，整體性竟爭激烈整體實力逐步提高自己。

1、產能釋放，第三代半導體產業即將進入”戰國時代”

       《2022再者代半導芯片第二步產業的發展行業報告》彰顯，2023年國內再者代半導芯片耗油率手機和徽波徽波rf射頻通信rf徽波rf射頻幾個領域保證 總年產值141.7萬億，較202在一年上漲率11.7%，生產量不間斷移除。各舉，SiC生產量上漲率翻兩番，GaN生產量上漲率超30%，添加了投資擴產年度計劃較202在一年環比上漲率36.7%。也，跟隨著直流電動汽車茶葉市面 上短時間上漲率，光伏系統、儲能技術要求拖拽，2023年國內再者代半導芯片耗油率手機和徽波徽波rf射頻通信rf徽波rf射頻茶葉市面 上總占比少于194.2萬億，較202在一年上漲率34.5%。各舉，耗油率半導芯片茶葉市面 上少于105.5萬億，徽波徽波rf射頻通信rf徽波rf射頻茶葉市面 上約88.6萬億。

        保守估計，2026年將是再次代半導體芯片獨樹一幟的一年下來，銷售市場將代禱1個“技術設備如何迅猛進展、第三產業如何迅猛提升、局勢大甩牌”的“東漢世紀”。

2、SiC、GaN功率器件成為支撐電子信息技術發展的生力軍

        作為新一代半導體材料，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）具有傳統Si材料無可比擬的優勢，其禁帶寬度是Si的3倍左右，擊穿場強約為Si的10倍，功率高、載流子遷移率高、飽和電子速度快、耐高溫高壓、高能效、低損耗等優異特性，滿足高電壓、高頻(pin)率場(chang)景。

        從新能源汽車到光伏儲能，從軌道交通到移動電源，從數據中心到通訊基站，基于第三代寬禁帶半導體材料的功率器件發揮著關鍵作用。功率半導體器件是電力電子技術發展的重要組成部分，是電力電子裝置實現電能轉換、電源管理的核心器件，主要功能有變頻、變壓、整流、功率轉換和管理等，兼具節能功效。尤其是在目前技術競爭和節能環保的大環境下，第三代半導體已經成為全球大國博弈的焦點。

        因此，第四代寬禁帶半導涂料的科學研究也積極推進著LED燈飾照明燈具加工業提升的連續不斷提升，從Mini-LED到Micro-LED，持續時間影晌半導燈飾照明燈具加工業提升，況且在大瓦數二氧化碳激光器、UV紫外線殺菌消毒/監測科技領域切實發揮著重點要的效用。

3、SiC、GaN布局提速，功率器件靜態參數測試如何破局？

        階段，耗油率半導體設備設備技術材料集成系統電路芯片市面顯流露出集成系統化和控制器化、高用性和高可以信賴性、多電平枝術、輕型集成系統電路芯片空間結構和技術、自動化化和可構建等不斷發展前景現象和不斷發展前景方問。耗油率半導體設備設備技術材料集成系統電路芯片當做應用軟件于苛刻學習環境下的高耗油率密度計算集成系統電路芯片，對集成系統電路芯片可以信賴性標準耍求基于所有的半導體設備設備技術材料集成系統電路芯片的前烈。如此，對集成系統電路芯片精準服務的用性測試軟件軟件標準耍求、契合用不一樣的可以信賴性測試軟件軟件條件并且為準的損壞具體分析方案將合理有效的完善耗油率半導體設備設備技術材料集成系統電路芯片成品的用性及可以信賴性表現形式。

        不同材料、不同技術的功率器件的性能差異很大。市面上傳統的測量技術或者儀器儀表一般可以覆蓋器件特性的測試需求。但是寬禁帶半導體器件碳化硅（SiC）或氮化鎵（GaN）的技術卻極大擴展了高壓、高速的分布區間，如何精確表征功率器件高流/高壓下的I-V曲線或其它靜態特性，這就對器件的測試工具提出更為嚴苛的挑戰。

4、基于國產化數字源表的SiC/GaN功率半導體器件靜態參數測試解決方案

        靜態參數主要是指本身固有的，與其工作條件無關的相關參數。靜態參數測試又叫穩態或者DC（直流）狀態測試，施加激勵(電壓/電流)到穩定狀態后再進行的測試。主要包括：柵極開啟電壓、柵極擊穿電壓、源極漏級間耐壓、源極漏級間漏電流、寄生電容(輸入電容、轉移電容、輸出電容)，以及以上參數的(de)相關特(te)性(xing)曲線的(de)測試。

        圍繞第三代寬禁帶半導體靜態參數測試中的常見問題，如掃描模式對SiC MOSFET 閾值電壓漂移的影響、溫度及脈寬對SiC MOSFET 導通電阻的影響、等效電阻及等效電感對SiC MOSFET導通壓降測試的影響、線路等效電容對SiC MOSFET測試的影響等多個維度，針對測試中存在的測不準、測不全、可靠性以及效率低的問題，普賽斯儀表提供一種基于國產化高精度數字源表(SMU)的測試方案，具備更優的測試能力、更準確的測量結果、更高的可靠性與更全面的測試能力。具有高電壓和大電流特性、μΩ級導通電阻精確測量、nA級電流測量能力等(deng)特點。支持高(gao)壓模式(shi)下測量功率器(qi)件結電(dian)容，如輸(shu)(shu)入(ru)電(dian)容、輸(shu)(shu)出電(dian)容、反向傳輸(shu)(shu)電(dian)容等(deng)。

①P300高精度脈沖源表

- 脈沖直流，簡單易用

- 範圍廣，高至300V低至1pA- 超小激光脈沖間距200μs- 精確性度為0.1%

②E系列高電壓源測單元

- ms級上升沿和下降沿

- 單臺主要3500V額定電壓輸出精度(可優化10kV)- 側量電流量低至1nA- 準確無誤度為0.1%

③HCPL 100高電流脈沖電源

- 所在電流大小達1000A- 幾臺串聯能達到6000A- 50μs-500μs的輸入脈沖厚度可調節- 脈沖造成的邊沿陡(典范日期15us)- 四公里搜集測定電流電壓(0.3mV-18V)

        而GaN HEMT器件主要工作于大功率、高效率的微波毫米電路中，其機理相對更為復雜，主要體現在器件陷阱效應和自熱效應中。GaN HEMT器件的陷阱效應會引起柵和漏滯后效應，不利于建模工作和器件射頻應用；而自熱效應主要體現在脈寬對GaN HEMT器件測試的影響。因此，針對氮化鎵(GaN)包括砷化鎵(GaAs)等材料構成的高速器件的I-V測試，普賽斯儀表全新推出的CP系列脈沖恒壓源可以高效快速解決測試難題。

①CP系列脈沖恒壓源

         

- 交流電/激光脈沖三種額定電壓模擬輸出模型- 大脈沖信號感應電流，極高可至10A- 超窄脈寬，低至100ns- 插卡式來設計，1CH/插卡，至高可以支持10綠色通道

        普賽斯(si)儀表專業(ye)研(yan)究和(he)開發半導(dao)體(ti)(ti)材料與器件(jian)(jian)測試(shi)的(de)(de)專業(ye)智能裝備，產品覆(fu)蓋半導(dao)體(ti)(ti)領域從晶圓(yuan)到器件(jian)(jian)生產全(quan)產業(ye)鏈。推出基(ji)于高精度數字源表(SMU）的(de)(de)第(di)三(san)代半導(dao)體(ti)(ti)功率器件(jian)(jian)靜態(tai)參(can)(can)數測試(shi)方案，為SiC和(he)GaN器件(jian)(jian)提供可靠(kao)的(de)(de)測試(shi)手段，實(shi)現功率半導(dao)體(ti)(ti)器件(jian)(jian)靜態(tai)參(can)(can)數的(de)(de)高精度、高效率測量和(he)分析。

*這部分(fen)小(xiao)圖片起源：對外公布資(zi)料收納

*環節(jie)數據資料(liao)來自：國內(nei)劃算時報《本國第二代半導體器(qi)件(jian)品牌總(zong)的進(jin)到成期》郭(guo)錦輝(hui)

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